авторефераты диссертаций БЕСПЛАТНАЯ РОССИЙСКАЯ БИБЛИОТЕКА - WWW.DISLIB.RU

АВТОРЕФЕРАТЫ, ДИССЕРТАЦИИ, МОНОГРАФИИ, НАУЧНЫЕ СТАТЬИ, КНИГИ

 
<< ГЛАВНАЯ
АГРОИНЖЕНЕРИЯ
АСТРОНОМИЯ
БЕЗОПАСНОСТЬ
БИОЛОГИЯ
ЗЕМЛЯ
ИНФОРМАТИКА
ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ
ИСТОРИЯ
КУЛЬТУРОЛОГИЯ
МАШИНОСТРОЕНИЕ
МЕДИЦИНА
МЕТАЛЛУРГИЯ
МЕХАНИКА
ПЕДАГОГИКА
ПОЛИТИКА
ПРИБОРОСТРОЕНИЕ
ПРОДОВОЛЬСТВИЕ
ПСИХОЛОГИЯ
РАДИОТЕХНИКА
СЕЛЬСКОЕ ХОЗЯЙСТВО
СОЦИОЛОГИЯ
СТРОИТЕЛЬСТВО
ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
ТРАНСПОРТ
ФАРМАЦЕВТИКА
ФИЗИКА
ФИЗИОЛОГИЯ
ФИЛОЛОГИЯ
ФИЛОСОФИЯ
ХИМИЯ
ЭКОНОМИКА
ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
ЭНЕРГЕТИКА
ЮРИСПРУДЕНЦИЯ
ЯЗЫКОЗНАНИЕ
РАЗНОЕ
КОНТАКТЫ


Pages:     | 1 | 2 ||

Неравновесные фазовые переходы индуцированные ионной бомбардировкой, на примере силикатных систем

-- [ Страница 3 ] --

В заключении главы проведён сравнительный анализ результатов моделирования для систем и . Из результатов моделирования следует, что изменения концентрационного профиля кислорода в результате термообработки, при обоих сортах стеклообразователя, имеют тот же характер, что и для формирования скрытого слоя с помощью достехиометрических концентраций кислорода. Наблюдается формирование резких границ профиля кислорода, но происходит это при более низких температурах. Концентрация имплантированных компонентов обоих сортов в области локализации скрытого слоя увеличивается. На участке между ним и поверхностью концентрация кислорода значительно уменьшается, по сравнению с исходным профилем. Профили бора и фосфора в результате термообработки приобретают сложную форму с несколькими экстремумами. Сильная концентрационная зависимость коэффициента диффузии фосфора в кремнии приводит к диффузионному размытию его профиля в глубину образца. В целом скорость формирования всей структуры для обоих сортов примеси примерно одинакова, поскольку она, по-видимому, лимитируется главным образом диффузией кислорода.

Результаты моделирования подтверждаются экспериментальными данными.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

  1. Предложена модель и разработан алгоритм решения нелинейных уравнений, возникающих в рамках данной модели и описывающих временную эволюцию силикатных систем.
  2. Для системы установлено, что критическое значение объёмной концентрации кислорода, ниже которого, в данной области, формирование скрытого слоя не происходит, определяется максимумом функции плотности свободной энергии.
  3. Установлено для систем и , что:

- скорость формирования скрытого слоя лимитируется скоростью диффузии кислорода в системе, полученной в результате имплантации;

- в результате термообработки происходит перераспределение кислорода и бора (кислорода и фосфора), в результате которого максимумы концентрационных профилей локализуются в одной области, а в области границ синтезируемого слоя наблюдается снижение концентрации бора (фосфора);

- при использовании в качестве дополнительно имплантируемого к кислороду компонента, как бора, так и фосфора, процесс ионного синтеза скрытого слоя происходит при более низких температурах по сравнению с классическим SIMOX – процессом.

  1. Появление локальных минимумов в окрестностях формирующихся границ раздела стекло – кремний обусловлено быстрым изменением избыточной энтальпии смешения в указанных областях.
  2. Взаимодействие между атомами кислорода и бора (кислорода и фосфора) обусловливает локализацию максимумов концентрационных профилей в одной области.

Список цитируемой литературы

  1. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Статистическая физика. - М.: Наука, 1976. Т. V., ч.1. - 584 с.
  2. Суворов С.А., Сёмин Е.Г., Гусаров В.В. Фазовые диаграммы и термодинамика оксидных твёрдых растворов. -Л.:Из-во ЛГУ, 1986. - 140 с.
  3. Ishimaru M., Tsunemori T., Harada S., Arita M., Motooka T. Microstructural evolution of oxygen implanted silicon during annealing processes // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 1999. - №148. - P. 311-316.
  4. Стромберг А.Г., Семченко Д.П. Физическая химия. - М.: Высшая школа, 1988. - 141 с.
  5. Пригожин И., Кондепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур - М.: Мир, 2002.- 461 с.
  6. Baret G., Madar R., Bernard C. Silica-based Oxide Systems. Experimental and Calculated Phase Equilibria in Silicon, Boron, Phosphorus, Germanium, and Arsenic Oxide Mixtures // J. Electrochem. Soc. - 1991. - V.138. №9. - P. 2830-2835.
  7. Равдель А.А., Пономаревская А.М. Краткий справочник физико-химических величин. -Л.: Химия, 1983. - 232 с.

Перечень работ, опубликованных по теме диссертации

  1. Кривелевич С.А., Денисенко Ю.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Цырулев А.А. Ионно - синтезированные силикатные слои – новое направление КНИ – технологии // Радиационная физика твёрдого тела: Тр. XIII международного совещания, Севастополь, 1 – 6 июля, 2002. – С. 315 - 319.
  2. Кривелевич С.А., Цырулев А.А. Расчет функции свободной энергии и моделирование эволюции системы кремний – имплантированный кислород // Кремний – 2002: Тез. док. совещания по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния, Новосибирск, 9 – 12 июля 2002 г. – Новосибирск, 2002.– С. 86.
  3. Кривелевич С.А., Цырулев А.А. Моделирование ионного синтеза скрытых диэлектрических слоёв // Взаимодействие ионов с поверхностью: Cб. материалов XVI международной конференции, Звенигород, 25 - 29 августа 2003 г. – 2003. Т.2. – С. 94-97.
  4. Krivelevich S., Buchin E, Denisenko Yu., Tsyrulev A. Ion synthesys of silicate glasses – simulation, process engineering and applied aspects // Micro – and nanoelectronics – 2003 (ICMNE-2003): Abs. Int. conf., Russia, Moscow – Zvenigorod, 6 – 10 October 2003.– P1 - 16.
  5. Кривелевич С.А., Цырулев А.А. Моделирование ионного синтеза слоёв диоксида кремния в рамках теории Гинзбурга - Ландау // Радиационная физика твёрдого тела: Тр. XIII международного совещания, Севастополь, 30 июня - 5 июля 2003 г.  – С. 393 – 397.
  6. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Паршин Е.О., Цырулев А.А. Диффузия бора и фосфора в слоях кремния, обогащённых имплантированных кислородом // “Кремний – 2004”: Тез. док. Иркутск, Листвянка, 5 - 9 июля 2004 г. – Иркутск, 2004. - С. 93.
  7. Кривелевич С.А., Бачурин В.И., Цырулев А.А. Моделирование ионного синтеза скрытых диэлектрических слоёв // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2004.–№ 5.– С. 40-43.
  8. Krivelevich S.A., Denisenko Yu. I., Tsyrulev A.A. Ionic synthesis of silica – based glasses: prospect, simulation and applied aspects // Proceedings of SPIE – May 2004. – V. 5401 –  P. 119 - 128.
  9. Кривелевич С.А., Цырулев А.А. Моделирование синтеза скрытых диэлектрических слоёв сложного состава, получаемых с помощью ионной имплантации // Вестник Нижегородского университета. Серия “Физика твёрдого тела”. - Вып. 1 (8). - 2005. - C. 91- 96.
  10. Кривелевич С.А., Цырулев А.А. Моделирование формирования скрытых слоёв комбинированного состава // Тонкие плёнки в электронике: материалы XVII международного симпозиума, Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября, C.393-397.
  11. Krivelevich S.A., Tsyrulev A.A. Simulation of ion – beam synthesis of silica – based compounds// Micro – and nanoelectronics – 2005 (ICMNE-2005): Abs. Int. conf., Russia, Moscow – Zvenigorod, 3 – 7 October 2005.– P1 - 49.


Pages:     | 1 | 2 ||
 





 
© 2013 www.dislib.ru - «Авторефераты диссертаций - бесплатно»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.